| Номер детали производителя : | HS3JB R5G |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Состояние на складе : | 2048 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | HS3JB R5G(1).pdfHS3JB R5G(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | HS3JB R5G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 2048 pcs |
| Спецификация | HS3JB R5G(1).pdfHS3JB R5G(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA (SMB) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
| Упаковка / | DO-214AA, SMB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | HS3J |







DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Diodes - Rectifiers - Single SMB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R